Framleiðandi Vöru númer:
RQ3E080BNTB
Product Overview
Framleiðandi:
Rohm Semiconductor
Völu númer:
RQ3E080BNTB-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 30 V 8A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
Birgðir:
40431 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
13527206
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
RQ3E080BNTB Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
ROHM Semiconductor
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
30 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
8A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
15.2mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
14.5 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
660 pF @ 15 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
2W (Ta)
Hitastig rekstrar
150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
8-HSMT (3.2x3)
Pakki / hulstur
8-PowerVDFN
Grunnvörunúmer
RQ3E080
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
RQ3E080BNTBTR
RQ3E080BNTBDKR
RQ3E080BNTBCT
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
RSS075P03FU6TB
MOSFET P-CH 30V 7.5A 8SOP
RSS120N03FU6TB
MOSFET N-CH 30V 12A 8SOP
RSJ451N04FRATL
MOSFET N-CH 40V 45A LPTS
