Heim
Vörur
Framleiðendur
Um DiGi
Hafðu samband við okkur
Bloggar & Færslur
RFQ/Tilboð
Iceland
Skrá inn
Valin tungumál
Núverandi tungumál val þitt:
Iceland
Breyta:
Enska
Evrópa
Bretland
Lýðveldið Kongó
Argentína
Tyrkland
Rúmenía
Litháen
Noregur
Austurríki
Angóla
Slóvakía
LTALY
Finnland
Hvíta Rússland
Búlgaría
Danmörk
Eistland
Pólland
Úkraína
Slóvenía
Tékkneska
Gríska
Króatía
Ísrael
Svartfjallaland
Rússneska
Belgía
Svíþjóð
Serbía
Baski
Ísland
Bosnía
Ungverska
Moldóva
Þýskaland
Holland
Írland
Asía / Kyrrahafið
Kína
Víetnam
Indónesía
Taíland
Laos
Filippseyingur
Malasía
Kórea
Japan
Hong Kong
Taívan
Singapúr
Pakistan
Suður Arabía
Katar
Kúveit
Kambódía
Mjanmar
Afríka, Indland og Miðausturlönd
Sameinuðu Arabísku Furstadæmin
Tadsjikistan
Madagaskar
Indland
Íran
Frakkland
Suður Afríka
Egyptaland
Kenía
Tansanía
Gana
Senegal
Marokkó
Túnis
Suður Ameríka / Eyjaálfa
Nýja Sjáland
Portúgal
Brasilía
Mósambík
Perú
Kólumbía
Síle
Venesúela
Ekvador
Bólivía
Úrúgvæ
Spánn
Paragvæ
Ástralía
Norður-Ameríka
Bandaríkin
Haítí
Kanada
Kosta Ríka
Mexíkó
Um DiGi
Um okkur
Um okkur
Vottanir okkar
DiGi kynning
Hvers vegna DiGi
Stefna
Gæðastefna
Notendaleyfi
RoHS samræmi
Skilaferlið
Auðlindir
Vöruflokkar
Framleiðendur
Bloggar & Færslur
Þjónustu
Gæðatrygging
Greiðslu leið
Alþjóðleg sending
Sendingarkostnaður
Algengar spurningar
Framleiðandi Vöru númer:
RQ3E100MNTB1
Product Overview
Framleiðandi:
Rohm Semiconductor
Völu númer:
RQ3E100MNTB1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 30 V 10A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
Birgðir:
5261 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
13080437
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
*
Fyrirtæki
*
Samskiptaheiti
*
Sími
*
Tölvupóstur
Afhendingarheimilisfang
Skilaboð
N
h
7
C
(
*
) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
RQ3E100MNTB1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
ROHM Semiconductor
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
-
Umbúðir
Tape & Reel (TR)
Staða hluta
Not For New Designs
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
30 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
10A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
12.3mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
9.9 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
520 pF @ 15 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
2W (Ta)
Hitastig rekstrar
150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
8-HSMT (3.2x3)
Pakki / hulstur
8-PowerVDFN
Grunnvörunúmer
RQ3E100
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
RQ3E100MNTB1CT
RQ3E100MNTB1DKR
RQ3E100MNTB1TR
846-RQ3E100MNTB1TR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
FDMC8878
FRAMLEIÐANDI
onsemi
Fjöldi í boði
6381
HLUTARNÁMR
FDMC8878-DG
Einingaverð
0.46
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
RQ3E100MNTB1
FRAMLEIÐANDI
Rohm Semiconductor
Fjöldi í boði
5261
HLUTARNÁMR
RQ3E100MNTB1-DG
Einingaverð
0.40
VÖRUVAL
Parametric Equivalent
Partanúmer
IRFH3707TRPBF
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
7498
HLUTARNÁMR
IRFH3707TRPBF-DG
Einingaverð
0.13
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
DMG4468LFG-7
FRAMLEIÐANDI
Diodes Incorporated
Fjöldi í boði
0
HLUTARNÁMR
DMG4468LFG-7-DG
Einingaverð
0.28
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
DMS3014SFG-7
FRAMLEIÐANDI
Diodes Incorporated
Fjöldi í boði
15880
HLUTARNÁMR
DMS3014SFG-7-DG
Einingaverð
0.14
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
R5016FNJTL
MOSFET N-CH 500V 16A LPT
RP1E050RPTR
MOSFET P-CH 30V 5A MPT6
R6015FNJTL
MOSFET N-CH 600V 15A LPT
RS1E300GNTB
MOSFET N-CH 30V 30A 8-HSOP