Framleiðandi Vöru númer:
SI5458DU-T1-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SI5458DU-T1-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 30V 6A CHIPFET
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 30 V 6A (Tc) 3.5W (Ta), 10.4W (Tc) Surface Mount PowerPAK® ChipFET™ Single
Birgðir:
12915071
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SI5458DU-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
30 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
41mOhm @ 7.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
9 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
325 pF @ 15 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
3.5W (Ta), 10.4W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PowerPAK® ChipFET™ Single
Pakki / hulstur
PowerPAK® ChipFET™ Single
Grunnvörunúmer
SI5458
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SI5458DUT1GE3
SI5458DU-T1-GE3DKR
SI5458DU-T1-GE3TR
SI5458DU-T1-GE3CT
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SI2311DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 8V 3A SOT23-3
SI4196DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 8A 8SO
IRFP32N50K
MOSFET N-CH 500V 32A TO247-3
