Framleiðandi Vöru númer:
SI2311DS-T1-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SI2311DS-T1-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET P-CH 8V 3A SOT23-3
Mikilvægar upplýsingar:
P-Channel 8 V 3A (Ta) 710mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Birgðir:
12915072
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SI2311DS-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
-
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
P-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
8 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
3A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
45mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
800mV @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
12 nC @ 4.5 V
Vgs (hámark)
±8V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
970 pF @ 4 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
710mW (Ta)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
SOT-23-3 (TO-236)
Pakki / hulstur
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Grunnvörunúmer
SI2311
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
SI2305CDS-T1-GE3
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
46362
HLUTARNÁMR
SI2305CDS-T1-GE3-DG
Einingaverð
0.09
VÖRUVAL
Direct
Partanúmer
SI2305-TP
FRAMLEIÐANDI
Micro Commercial Co
Fjöldi í boði
36718
HLUTARNÁMR
SI2305-TP-DG
Einingaverð
0.06
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
SI4196DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 8A 8SO
IRFP32N50K
MOSFET N-CH 500V 32A TO247-3
SI7601DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 16A PPAK1212-8
