Framleiðandi Vöru númer:
SI4196DY-T1-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SI4196DY-T1-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 20V 8A 8SO
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 20 V 8A (Tc) 2W (Ta), 4.6W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Birgðir:
12915077
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SI4196DY-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
-
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
20 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
27mOhm @ 8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
22 nC @ 8 V
Vgs (hámark)
±8V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
830 pF @ 10 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
2W (Ta), 4.6W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
8-SOIC
Pakki / hulstur
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Grunnvörunúmer
SI4196
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,500
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRFP32N50K
MOSFET N-CH 500V 32A TO247-3
SI7601DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 16A PPAK1212-8
IRFR120TRL
MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
