Framleiðandi Vöru númer:
SI1032X-T1-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SI1032X-T1-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 20V 200MA SC89-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 20 V 200mA (Ta) 300mW (Ta) Surface Mount SC-89-3
Birgðir:
6434 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12912401
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SI1032X-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
20 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
200mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
5Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
0.75 nC @ 4.5 V
Vgs (hámark)
±6V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
300mW (Ta)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
SC-89-3
Pakki / hulstur
SC-89, SOT-490
Grunnvörunúmer
SI1032
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SI1032X-T1-GE3TR
SI1032X-T1-GE3CT
SI1032X-T1-GE3DKR
SI1032XT1GE3
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRFU310
MOSFET N-CH 400V 1.7A TO251AA
SI7370ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 50A PPAK SO-8
SI7476DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 15A PPAK SO-8
