SI2315BDS-T1-E3
Framleiðandi Vöru númer:

SI2315BDS-T1-E3

Product Overview

Framleiðandi:

Vishay Siliconix

Völu númer:

SI2315BDS-T1-E3-DG

Lýsing:

MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3
Mikilvægar upplýsingar:
P-Channel 12 V 3A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Birgðir:

104715 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12912421
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

SI2315BDS-T1-E3 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
P-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
12 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
3A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
50mOhm @ 3.85A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
15 nC @ 4.5 V
Vgs (hámark)
±8V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
715 pF @ 6 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
750mW (Ta)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
SOT-23-3 (TO-236)
Pakki / hulstur
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Grunnvörunúmer
SI2315

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SI2315BDS-T1-E3TR
SI2315BDST1E3
SI2315BDS-T1-E3CT
SI2315BDS-T1-E3DKR

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
vishay-siliconix

IRFI9520GPBF

MOSFET P-CH 100V 5.2A TO220-3

vishay-siliconix

SI7848DP-T1-E3

MOSFET N-CH 40V 10.4A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SI8808DB-T2-E1

MOSFET N-CH 30V 4MICROFOOT

vishay-siliconix

IRFD9014PBF

MOSFET P-CH 60V 1.1A 4DIP