SI7476DP-T1-GE3
Framleiðandi Vöru númer:

SI7476DP-T1-GE3

Product Overview

Framleiðandi:

Vishay Siliconix

Völu númer:

SI7476DP-T1-GE3-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 40V 15A PPAK SO-8
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 40 V 15A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Birgðir:

12912417
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

SI7476DP-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
-
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
40 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
15A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
5.3mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
177 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
1.9W (Ta)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PowerPAK® SO-8
Pakki / hulstur
PowerPAK® SO-8
Grunnvörunúmer
SI7476

Aukainformation

Venjulegur pakki
3,000

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Valkostamódeli

Partanúmer
SIR418DP-T1-GE3
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
22680
HLUTARNÁMR
SIR418DP-T1-GE3-DG
Einingaverð
0.45
VÖRUVAL
Direct
DIGI vottun
Tengdar vörur
vishay-siliconix

SI2315BDS-T1-E3

MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3

vishay-siliconix

IRFI9520GPBF

MOSFET P-CH 100V 5.2A TO220-3

vishay-siliconix

SI7848DP-T1-E3

MOSFET N-CH 40V 10.4A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SI8808DB-T2-E1

MOSFET N-CH 30V 4MICROFOOT