Framleiðandi Vöru númer:
IRFSL11N50A
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
IRFSL11N50A-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 500V 11A TO262-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 500 V 11A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-262-3
Birgðir:
12914099
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IRFSL11N50A Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
-
Röð
-
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
500 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
11A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
550mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
51 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1426 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
190W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-262-3
Pakki / hulstur
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Grunnvörunúmer
IRFSL11
Aukainformation
Venjulegur pakki
50
Önnur nöfn
*IRFSL11N50A
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
RoHS non-compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IRFSL11N50APBF
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
0
HLUTARNÁMR
IRFSL11N50APBF-DG
Einingaverð
1.49
VÖRUVAL
Parametric Equivalent
DIGI vottun
Tengdar vörur
SI1056X-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 1.32A SC89-6
IXFA6N120P
MOSFET N-CH 1200V 6A TO263
SI7119DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 200V 3.8A PPAK1212-8