Framleiðandi Vöru númer:
IXFA6N120P
Product Overview
Framleiðandi:
IXYS
Völu númer:
IXFA6N120P-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 1200V 6A TO263
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 1200 V 6A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount TO-263AA (IXFA)
Birgðir:
3725 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12914108
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IXFA6N120P Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Littelfuse
Pakkning
Tube
Röð
HiPerFET™, Polar
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
1200 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
2.4Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
92 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2830 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
250W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
TO-263AA (IXFA)
Pakki / hulstur
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grunnvörunúmer
IXFA6N120
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
50
Önnur nöfn
IXFA6N120P-CRL
Q13176188
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SI7119DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 200V 3.8A PPAK1212-8
IXFA12N65X2
MOSFET N-CH 650V 12A TO263AA
IXFX170N20T
MOSFET N-CH 200V 170A PLUS247-3
