Framleiðandi Vöru númer:
IRFSL11N50APBF
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
IRFSL11N50APBF-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 500V 11A TO262-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 500 V 11A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-262-3
Birgðir:
12961241
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IRFSL11N50APBF Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tube
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
500 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
11A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
550mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
51 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1426 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
190W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-262-3
Pakki / hulstur
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Grunnvörunúmer
IRFSL11
Aukainformation
Venjulegur pakki
1,000
Önnur nöfn
*IRFSL11N50APBF
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SIRA00DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
SIA485DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 150V 1.6A PPAK SC70
SUD25N15-52-E3
MOSFET N-CH 150V 25A TO252