Framleiðandi Vöru númer:

CSD16323Q3T

Product Overview

Framleiðandi:

Texas Instruments

Völu númer:

CSD16323Q3T-DG

Lýsing:

PROTOTYPE

Mikilvægar upplýsingar:

N-Channel 25 V 20A (Ta), 105A (Tc) 2.8W (Ta), 74W (Tc) Surface Mount 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)

Birgðir:

RFQ á netinu

12996156

Óska eftir tilboði

Magn
Minimum 1

(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda

STILLTA

CSD16323Q3T Tæknilegar forskriftir

Flokkur

FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET

Framleiðandi

Texas Instruments

Pakkning

-

Röð

NexFET™

Staða vöru

Active

FET gerð

N-Channel

Tækni

MOSFET (Metal Oxide)

Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)

25 V

Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C

20A (Ta), 105A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

3V, 8V

Rds á (Max) @ Id, Vgs

4.5mOhm @ 24A, 8V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.4V @ 250µA

Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs

8.4 nC @ 4.5 V

Vgs (hámark)

+10V, -8V

Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds

1300 pF @ 12.5 V

FET eiginleiki

-

Afl leiðni (hámark)

2.8W (Ta), 74W (Tc)

Hitastig rekstrar

-55°C ~ 150°C (TJ)

Gerð uppsetningar

Surface Mount

Birgir tæki pakki

8-VSON-CLIP (3.3x3.3)

Pakki / hulstur

8-PowerTDFN

Grunnvörunúmer

CSD16323

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal

Gagnaplakks

Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki

1

Önnur nöfn

296-CSD16323Q3T

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða

ROHS3 Compliant

Rakanæmi (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI vottun

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Tengdar vörur

AOK065V65X2

MOSFET N-CH 650V 40.3A TO247

nexperia

PSMN4R8-100YSEX

PSMN4R8-100YSE/SOT1023/4 LEADS

rohm-semi

R6520ENZ4C13

650V 20A TO-247, LOW-NOISE POWER

rohm-semi

R6535ENZ4C13

650V 35A TO-247, LOW-NOISE POWER