Framleiðandi Vöru númer:
R6535ENZ4C13
Product Overview
Framleiðandi:
Rohm Semiconductor
Völu númer:
R6535ENZ4C13-DG
Lýsing:
650V 35A TO-247, LOW-NOISE POWER
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 650 V 35A (Tc) 379W (Tc) Through Hole TO-247G
Birgðir:
571 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12996280
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
R6535ENZ4C13 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
ROHM Semiconductor
Pakkning
Tube
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
650 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
35A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
115mOhm @ 18.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1.21mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2600 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
379W (Tc)
Hitastig rekstrar
150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-247G
Pakki / hulstur
TO-247-3
Grunnvörunúmer
R6535
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
30
Önnur nöfn
846-R6535ENZ4C13
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
MCAC75N06YB-TP
MOSFET N-CH DFN5060
SI3134KEA-TP
N-CHANNEL MOSFET
