Framleiðandi Vöru númer:
R6520ENZ4C13
Product Overview
Framleiðandi:
Rohm Semiconductor
Völu númer:
R6520ENZ4C13-DG
Lýsing:
650V 20A TO-247, LOW-NOISE POWER
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 650 V 20A (Tc) 231W (Tc) Through Hole TO-247G
Birgðir:
1153 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12996245
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
R6520ENZ4C13 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
ROHM Semiconductor
Pakkning
Tube
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
650 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
20A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
205mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 630µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
61 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1400 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
231W (Tc)
Hitastig rekstrar
150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-247G
Pakki / hulstur
TO-247-3
Grunnvörunúmer
R6520
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
30
Önnur nöfn
846-R6520ENZ4C13
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
R6535ENZ4C13
650V 35A TO-247, LOW-NOISE POWER
MCAC75N06YB-TP
MOSFET N-CH DFN5060
