Framleiðandi Vöru númer:
STH260N6F6-6
Product Overview
Framleiðandi:
STMicroelectronics
Völu númer:
STH260N6F6-6-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-6
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 60 V 180A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount H2PAK-6
Birgðir:
12877686
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
STH260N6F6-6 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
STMicroelectronics
Pakkning
-
Röð
DeepGATE™, STripFET™ VI
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
60 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
180A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
2.4mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
183 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
11800 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
300W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
H2PAK-6
Pakki / hulstur
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Grunnvörunúmer
STH260
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
1,000
Önnur nöfn
STH260N6F6-6-DG
497-15144-1
497-15144-2
497-15144-6
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IPB017N06N3GATMA1
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
9000
HLUTARNÁMR
IPB017N06N3GATMA1-DG
Einingaverð
1.54
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
STL17N3LLH6
MOSFET N-CH 30V 17A POWERFLAT
STW37N60DM2AG
MOSFET N-CH 600V 28A TO247
STF34NM60ND
MOSFET N-CH 600V 29A TO220FP
