IPB017N06N3GATMA1
Framleiðandi Vöru númer:

IPB017N06N3GATMA1

Product Overview

Framleiðandi:

Infineon Technologies

Völu númer:

IPB017N06N3GATMA1-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 60 V 180A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7

Birgðir:

9000 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12800328
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

IPB017N06N3GATMA1 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
OptiMOS™
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
60 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
180A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
1.7mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 196µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
275 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
23000 pF @ 30 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
250W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-TO263-7
Pakki / hulstur
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Grunnvörunúmer
IPB017

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki
1,000
Önnur nöfn
SP000434404
IPB017N06N3 G
IPB017N06N3G
IPB017N06N3 GCT
IPB017N06N3 GCT-DG
IPB017N06N3 G-DG
IPB017N06N3GATMA1DKR
IPB017N06N3 GTR-DG
IPB017N06N3GATMA1TR
IPB017N06N3 GDKR
IPB017N06N3 GTR
IPB017N06N3GATMA1CT
IPB017N06N3 GDKR-DG

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
infineon-technologies

BSF045N03MQ3 G

MOSFET N-CH 30V 18A/63A 2WDSON

infineon-technologies

IPC045N10L3X1SA1

MOSFET N-CH 100V 1A SAWN ON FOIL

infineon-technologies

IPD050N10N5ATMA1

MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3

infineon-technologies

IPA60R125CPXKSA1

MOSFET N-CH 650V 25A TO220-FP