Framleiðandi Vöru númer:
STI30NM60N
Product Overview
Framleiðandi:
STMicroelectronics
Völu númer:
STI30NM60N-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 600 V 25A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Birgðir:
12877705
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
STI30NM60N Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
STMicroelectronics
Pakkning
-
Röð
MDmesh™ II
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
600 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
25A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
130mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
91 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2700 pF @ 50 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
190W (Tc)
Hitastig rekstrar
150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-262 (I2PAK)
Pakki / hulstur
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Grunnvörunúmer
STI30N
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
50
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IPI60R125CPXKSA1
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
490
HLUTARNÁMR
IPI60R125CPXKSA1-DG
Einingaverð
3.00
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
STI16N65M5
MOSFET N-CH 650V 12A I2PAK
STF18N60M2
N-channel 600 V, 0.255 Ohm typ.,
STF26N60DM6
MOSFET N-CH 600V 18A TO220FP
