R6086YNZ4C13
Framleiðandi Vöru númer:

R6086YNZ4C13

Product Overview

Framleiðandi:

Rohm Semiconductor

Völu númer:

R6086YNZ4C13-DG

Lýsing:

NCH 600V 86A, TO-247, POWER MOSF
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 600 V 86A (Tc) 781W (Tc) Through Hole TO-247G

Birgðir:

568 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
13001156
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

R6086YNZ4C13 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
ROHM Semiconductor
Pakkning
Tube
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
600 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
86A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V, 12V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
44mOhm @ 17A, 12V
Vgs(th) (Max) @ Id
6V @ 4.6mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
5100 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
781W (Tc)
Hitastig rekstrar
150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-247G
Pakki / hulstur
TO-247-3
Grunnvörunúmer
R6086

Gagnaablað & Skjöl

Gagnablöð
R6086YNZ4

Aukainformation

Venjulegur pakki
30
Önnur nöfn
846-R6086YNZ4C13

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Tengdar vörur
transphorm

TP65H070LDG-TR

650 V 25 A GAN FET

vishay-siliconix

SIRS5800DP-T1-GE3

N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE

vishay-siliconix

SQA409CEJW-T1_GE3

AUTOMOTIVE P-CHANNEL 12 V (D-S)

vishay-siliconix

SUM70042M-GE3

N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET D2P