Framleiðandi Vöru númer:
TP65H070LDG-TR
Product Overview
Framleiðandi:
Transphorm
Völu númer:
TP65H070LDG-TR-DG
Lýsing:
650 V 25 A GAN FET
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 650 V 25A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount 3-PQFN (8x8)
Birgðir:
1651 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
13001158
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
TP65H070LDG-TR Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Transphorm
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TP65H070L
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
GaNFET (Gallium Nitride)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
650 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
25A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
85mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.8V @ 700µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
9.3 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
600 pF @ 400 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
96W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
3-PQFN (8x8)
Pakki / hulstur
3-PowerDFN
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
500
Önnur nöfn
1707-TP65H070LDG-TR
1707-TP65H070LDG-TRDKR
1707-TP65H070LDG-TRCT
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SIRS5800DP-T1-GE3
N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
SQA409CEJW-T1_GE3
AUTOMOTIVE P-CHANNEL 12 V (D-S)
SUM70042M-GE3
N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET D2P
