SIRS5800DP-T1-GE3

Framleiðandi Vöru númer:

SIRS5800DP-T1-GE3

Product Overview

Framleiðandi:

Vishay Siliconix

Völu númer:

SIRS5800DP-T1-GE3-DG

Lýsing:

N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE

Mikilvægar upplýsingar:

N-Channel 80 V 46A (Ta), 265A (Tc) 7.4W (Ta), 240W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Birgðir:

RFQ á netinu

13001161

Óska eftir tilboði

Magn
Minimum 1

(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda

STILLTA

SIRS5800DP-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir

Flokkur

FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET

Framleiðandi

Vishay

Pakkning

Tape & Reel (TR)

Röð

TrenchFET®

Staða vöru

Active

FET gerð

N-Channel

Tækni

MOSFET (Metal Oxide)

Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)

80 V

Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C

46A (Ta), 265A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

7.5V, 10V

Rds á (Max) @ Id, Vgs

1.8mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs

122 nC @ 10 V

Vgs (hámark)

±20V

Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds

6190 pF @ 40 V

FET eiginleiki

-

Afl leiðni (hámark)

7.4W (Ta), 240W (Tc)

Hitastig rekstrar

-55°C ~ 150°C (TJ)

Gerð uppsetningar

Surface Mount

Birgir tæki pakki

PowerPAK® SO-8

Pakki / hulstur

PowerPAK® SO-8

Grunnvörunúmer

SIRS5800

Gagnaablað & Skjöl

Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki

3,000

Önnur nöfn

742-SIRS5800DP-T1-GE3TR

742-SIRS5800DP-T1-GE3DKR

742-SIRS5800DP-T1-GE3CT

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða

ROHS3 Compliant

Rakanæmi (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI vottun

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Tengdar vörur

vishay-siliconix

SQA409CEJW-T1_GE3

AUTOMOTIVE P-CHANNEL 12 V (D-S)

vishay-siliconix

SUM70042M-GE3

N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET D2P

vishay-siliconix

SI1480BDH-T1-GE3

N-CHNNEL 100-V (D-S) MOSFET SC70

goford-semiconductor

630AT

N200V,RD(MAX)<250M@10V,RD(MAX)<3