Framleiðandi Vöru númer:
NTHL067N65S3H
Product Overview
Framleiðandi:
onsemi
Völu númer:
NTHL067N65S3H-DG
Lýsing:
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 650 V 40A (Tc) 266W (Tc) Through Hole TO-247-3
Birgðir:
12950511
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
NTHL067N65S3H Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
onsemi
Pakkning
Tube
Röð
SuperFET® III
Staða vöru
Not For New Designs
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
650 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
40A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
67mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 3.9mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
3750 pF @ 400 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
266W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-247-3
Pakki / hulstur
TO-247-3
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
30
Önnur nöfn
488-NTHL067N65S3H
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
Not Applicable
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
NTH4LN067N65S3H
FRAMLEIÐANDI
onsemi
Fjöldi í boði
361
HLUTARNÁMR
NTH4LN067N65S3H-DG
Einingaverð
4.45
VÖRUVAL
Parametric Equivalent
DIGI vottun
Tengdar vörur
SCTW40N120G2V
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
STL260N4LF7
N-CHANNEL 40 V, 0.00085 OHM TYP.
SCTH70N120G2V-7
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
