Framleiðandi Vöru númer:
SCTL90N65G2V
Product Overview
Framleiðandi:
STMicroelectronics
Völu númer:
SCTL90N65G2V-DG
Lýsing:
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 650 V 40A (Tc) 935W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (8x8) HV
Birgðir:
12950574
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SCTL90N65G2V Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
STMicroelectronics
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
SiCFET (Silicon Carbide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
650 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
40A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
24mOhm @ 40A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
157 nC @ 18 V
Vgs (hámark)
+22V, -10V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
3380 pF @ 400 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
935W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PowerFlat™ (8x8) HV
Pakki / hulstur
8-PowerVDFN
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
497-SCTL90N65G2VTR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
3 (168 Hours)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SCTH40N120G2V-7
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
DMTH6016LFDFWQ-13
MOSFET N-CH 60V 9.4A 6UDFN
SIR580DP-T1-RE3
N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
