NTH4LN067N65S3H
Framleiðandi Vöru númer:

NTH4LN067N65S3H

Product Overview

Framleiðandi:

onsemi

Völu númer:

NTH4LN067N65S3H-DG

Lýsing:

POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 650 V 40A (Tc) 266W (Tc) Through Hole TO-247-4

Birgðir:

361 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12989799
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

NTH4LN067N65S3H Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
onsemi
Pakkning
Tube
Röð
SuperFET® III
Staða vöru
Not For New Designs
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
650 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
40A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
67mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 3.9mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
3750 pF @ 400 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
266W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-247-4
Pakki / hulstur
TO-247-4

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki
30
Önnur nöfn
488-NTH4LN067N65S3H

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
Not Applicable
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
toshiba-semiconductor-and-storage

TPW5200FNH,L1Q

PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO

onsemi

NTMFS006N12MCT1G

POWER MOSFET, 120V SINGLE N CHAN

vishay-siliconix

SIHFPS40N50L-GE3

POWER MOSFET SUPER-247, 100 M @

toshiba-semiconductor-and-storage

TK19A50W,S5X

PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-