Framleiðandi Vöru númer:
IPU95R1K2P7AKMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPU95R1K2P7AKMA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 950V 6A TO251-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 950 V 6A (Tc) 52W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Birgðir:
1470 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12803580
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPU95R1K2P7AKMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tube
Röð
CoolMOS™ P7
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
950 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 2.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 140µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
478 pF @ 400 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
52W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
PG-TO251-3
Pakki / hulstur
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Grunnvörunúmer
IPU95R1
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
1,500
Önnur nöfn
SP001792322
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
Not Applicable
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPB80N08S2L07ATMA1
MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3
IPD50R399CPBTMA1
LOW POWER_LEGACY
IPB60R280P6ATMA1
MOSFET N-CH 600V 13.8A D2PAK
