Framleiðandi Vöru númer:
IPB60R280P6ATMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPB60R280P6ATMA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 600V 13.8A D2PAK
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 600 V 13.8A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Birgðir:
990 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12803586
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPB60R280P6ATMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
CoolMOS™ P6
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
600 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
13.8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
280mOhm @ 5.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 430µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
25.5 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1190 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
104W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-TO263-3
Pakki / hulstur
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grunnvörunúmer
IPB60R280
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
1,000
Önnur nöfn
448-IPB60R280P6ATMA1CT
448-IPB60R280P6ATMA1TR
IPB60R280P6ATMA1-DG
SP001364468
448-IPB60R280P6ATMA1DKR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
STB23N80K5
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
209
HLUTARNÁMR
STB23N80K5-DG
Einingaverð
2.29
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
R6015ENJTL
FRAMLEIÐANDI
Rohm Semiconductor
Fjöldi í boði
4
HLUTARNÁMR
R6015ENJTL-DG
Einingaverð
1.65
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPP60R1K4C6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO220-3
IRFIZ44NPBF
MOSFET N-CH 55V 31A TO220AB FP
IRFZ46NS
MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK
