Framleiðandi Vöru númer:
IPD50R399CPBTMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPD50R399CPBTMA1-DG
Lýsing:
LOW POWER_LEGACY
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 500 V 9A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
Birgðir:
12803585
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPD50R399CPBTMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
-
Röð
CoolMOS™ CP
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
500 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
399mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 330µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
890 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
83W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-TO252-3-313
Pakki / hulstur
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grunnvörunúmer
IPD50R
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,500
Önnur nöfn
SP000307379
2156-IPD50R399CPBTMA1-ITTR
INFINFIPD50R399CPBTMA1
Umhverfis- og útflutningsflokkun
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IPD50R399CPATMA1
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
0
HLUTARNÁMR
IPD50R399CPATMA1-DG
Einingaverð
0.82
VÖRUVAL
Direct
Partanúmer
PJMD360N60EC_L2_00001
FRAMLEIÐANDI
Panjit International Inc.
Fjöldi í boði
5985
HLUTARNÁMR
PJMD360N60EC_L2_00001-DG
Einingaverð
1.21
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPB60R280P6ATMA1
MOSFET N-CH 600V 13.8A D2PAK
IPP60R1K4C6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO220-3
IRFIZ44NPBF
MOSFET N-CH 55V 31A TO220AB FP