Heim
Vörur
Framleiðendur
Um DiGi
Hafðu samband við okkur
Bloggar & Færslur
RFQ/Tilboð
Iceland
Skrá inn
Valin tungumál
Núverandi tungumál val þitt:
Iceland
Breyta:
Enska
Evrópa
Bretland
Lýðveldið Kongó
Argentína
Tyrkland
Rúmenía
Litháen
Noregur
Austurríki
Angóla
Slóvakía
LTALY
Finnland
Hvíta Rússland
Búlgaría
Danmörk
Eistland
Pólland
Úkraína
Slóvenía
Tékkneska
Gríska
Króatía
Ísrael
Svartfjallaland
Rússneska
Belgía
Svíþjóð
Serbía
Baski
Ísland
Bosnía
Ungverska
Moldóva
Þýskaland
Holland
Írland
Asía / Kyrrahafið
Kína
Víetnam
Indónesía
Taíland
Laos
Filippseyingur
Malasía
Kórea
Japan
Hong Kong
Taívan
Singapúr
Pakistan
Suður Arabía
Katar
Kúveit
Kambódía
Mjanmar
Afríka, Indland og Miðausturlönd
Sameinuðu Arabísku Furstadæmin
Tadsjikistan
Madagaskar
Indland
Íran
Frakkland
Suður Afríka
Egyptaland
Kenía
Tansanía
Gana
Senegal
Marokkó
Túnis
Suður Ameríka / Eyjaálfa
Nýja Sjáland
Portúgal
Brasilía
Mósambík
Perú
Kólumbía
Síle
Venesúela
Ekvador
Bólivía
Úrúgvæ
Spánn
Paragvæ
Ástralía
Norður-Ameríka
Bandaríkin
Haítí
Kanada
Kosta Ríka
Mexíkó
Um DiGi
Um okkur
Um okkur
Vottanir okkar
DiGi kynning
Hvers vegna DiGi
Stefna
Gæðastefna
Notendaleyfi
RoHS samræmi
Skilaferlið
Auðlindir
Vöruflokkar
Framleiðendur
Bloggar & Færslur
Þjónustu
Gæðatrygging
Greiðslu leið
Alþjóðleg sending
Sendingarkostnaður
Algengar spurningar
Framleiðandi Vöru númer:
IPD530N15N3GBTMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPD530N15N3GBTMA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 150V 21A TO252-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 150 V 21A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Birgðir:
RFQ á netinu
13064015
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
*
Fyrirtæki
*
Samskiptaheiti
*
Sími
*
Tölvupóstur
Afhendingarheimilisfang
Skilaboð
(
*
) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPD530N15N3GBTMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
-
Röð
OptiMOS™
Umbúðir
Tape & Reel (TR)
Staða hluta
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
150 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
21A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
8V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
53mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 35µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
887 pF @ 75 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
68W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-TO252-3
Pakki / hulstur
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grunnvörunúmer
IPD530N
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
IPD530N15N3GBTMA1-DG
Gagnaplakks
IPD530N15N3GBTMA1
Gagnablöð
IPx530N15N3G
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,500
Önnur nöfn
IPD530N15N3 GDKR
IPD530N15N3GBTMA1DKR
IPD530N15N3 GDKR-ND
IPD530N15N3GBTMA1CT
IPD530N15N3 G
SP000521720
IPD530N15N3GXT
IPD530N15N3GBTMA1TR
IPD530N15N3 GCT
IPD530N15N3 G-ND
IPD530N15N3 GCT-ND
IPD530N15N3G
IPD530N15N3 GTR-ND
Umhverfis- og útflutningsflokkun
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IPD530N15N3GATMA1
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
2668
HLUTARNÁMR
IPD530N15N3GATMA1-DG
Einingaverð
0.61
VÖRUVAL
Parametric Equivalent
Partanúmer
FDD86252
FRAMLEIÐANDI
onsemi
Fjöldi í boði
80199
HLUTARNÁMR
FDD86252-DG
Einingaverð
0.52
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
SUD25N15-52-E3
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
2999
HLUTARNÁMR
SUD25N15-52-E3-DG
Einingaverð
0.98
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
FDD2582
FRAMLEIÐANDI
onsemi
Fjöldi í boði
1256
HLUTARNÁMR
FDD2582-DG
Einingaverð
0.41
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
PJD30N15_L2_00001
FRAMLEIÐANDI
Panjit International Inc.
Fjöldi í boði
2976
HLUTARNÁMR
PJD30N15_L2_00001-DG
Einingaverð
0.35
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPB45N04S4L08ATMA1
MOSFET N-CH 40V 45A TO263-3-2
IPW60R041C6FKSA1
MOSFET N-CH 600V 77.5A TO247-3
IPP60R099C7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 22A TO220-3
IPD50N06S4L08ATMA2
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31