Framleiðandi Vöru númer:
IPP60R099C7XKSA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPP60R099C7XKSA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 600V 22A TO220-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 600 V 22A (Tc) 110W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Birgðir:
13064022
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPP60R099C7XKSA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tube
Röð
CoolMOS™ C7
Umbúðir
Tube
Staða hluta
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
600 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
22A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
99mOhm @ 9.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 490µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1819 pF @ 400 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
110W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
PG-TO220-3-1
Pakki / hulstur
TO-220-3
Grunnvörunúmer
IPP60R099
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
50
Önnur nöfn
SP001298000
448-IPP60R099C7XKSA1
IPP60R099C7XKSA1-ND
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
FCP099N65S3
FRAMLEIÐANDI
onsemi
Fjöldi í boði
0
HLUTARNÁMR
FCP099N65S3-DG
Einingaverð
2.57
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
IPZ60R099C7XKSA1
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
0
HLUTARNÁMR
IPZ60R099C7XKSA1-DG
Einingaverð
3.21
VÖRUVAL
Parametric Equivalent
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPD50N06S4L08ATMA2
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31
IPF09N03LA
MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
BSZ033NE2LS5ATMA1
MOSFET N-CH 25V 18A/40A TSDSON
