Framleiðandi Vöru númer:
FCP099N65S3
Product Overview
Framleiðandi:
onsemi
Völu númer:
FCP099N65S3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 650V 30A TO220-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 650 V 30A (Tc) 227W (Tc) Through Hole TO-220-3
Birgðir:
12838698
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
FCP099N65S3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
onsemi
Pakkning
Tube
Röð
SuperFET® III
Staða vöru
Not For New Designs
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
650 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
30A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
99mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 3mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
61 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2480 pF @ 400 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
227W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220-3
Pakki / hulstur
TO-220-3
Grunnvörunúmer
FCP099
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
50
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
Not Applicable
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IXFP34N65X2
FRAMLEIÐANDI
IXYS
Fjöldi í boði
0
HLUTARNÁMR
IXFP34N65X2-DG
Einingaverð
3.29
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
IPP65R110CFDAAKSA1
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
0
HLUTARNÁMR
IPP65R110CFDAAKSA1-DG
Einingaverð
3.79
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
STP36N60M6
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
96
HLUTARNÁMR
STP36N60M6-DG
Einingaverð
3.05
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
FCH099N65S3-F155
FRAMLEIÐANDI
onsemi
Fjöldi í boði
390
HLUTARNÁMR
FCH099N65S3-F155-DG
Einingaverð
3.53
VÖRUVAL
Parametric Equivalent
DIGI vottun
Tengdar vörur
