Framleiðandi Vöru númer:
IPD530N15N3GATMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPD530N15N3GATMA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 150V 21A TO252-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 150 V 21A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Birgðir:
2668 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12803859
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPD530N15N3GATMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
OptiMOS™
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
150 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
21A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
8V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
53mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 35µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
887 pF @ 75 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
68W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-TO252-3
Pakki / hulstur
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grunnvörunúmer
IPD530
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,500
Önnur nöfn
IPD530N15N3GATMA1DKR
IPD530N15N3GATMA1CT
SP001127830
IPD530N15N3GATMA1TR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPP04CN10NGXKSA1
MV POWER MOS
IPAW60R190CEXKSA1
MOSFET N-CH 600V 26.7A TO220
IPD035N06L3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3