FDB035AN06A0
Framleiðandi Vöru númer:

FDB035AN06A0

Product Overview

Framleiðandi:

Fairchild Semiconductor

Völu númer:

FDB035AN06A0-DG

Lýsing:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 60 V 22A (Ta), 80A (Tc) 310W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Birgðir:

12946955
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

FDB035AN06A0 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Pakkning
-
Röð
PowerTrench®
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
60 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
22A (Ta), 80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
3.5mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
124 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
6400 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
310W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
TO-263 (D2PAK)
Pakki / hulstur
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Gagnaablað & Skjöl

Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki
102
Önnur nöfn
FAIFSCFDB035AN06A0
2156-FDB035AN06A0

Umhverfis- og útflutningsflokkun

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI vottun
Tengdar vörur
fairchild-semiconductor

FDMA530PZ

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6

international-rectifier

IRF1010ZPBF

IRF1010 - 12V-300V N-CHANNEL POW

fairchild-semiconductor

FDD8882

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3

fairchild-semiconductor

FDMS8023S

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2