Framleiðandi Vöru númer:
IRF1010ZPBF
Product Overview
Framleiðandi:
International Rectifier
Völu númer:
IRF1010ZPBF-DG
Lýsing:
IRF1010 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 55 V 75A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-220AB
Birgðir:
350 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12946961
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IRF1010ZPBF Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Pakkning
Bulk
Röð
HEXFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
55 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
75A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
7.5mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
95 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2840 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
140W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220AB
Pakki / hulstur
TO-220-3
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
320
Önnur nöfn
IFEIRFIRF1010ZPBF
2156-IRF1010ZPBF-IR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI vottun
Tengdar vörur
FDD8882
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
FDMS8023S
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
FDB029N06
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
