Framleiðandi Vöru númer:
FDD8882
Product Overview
Framleiðandi:
Fairchild Semiconductor
Völu númer:
FDD8882-DG
Lýsing:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 30 V 12.6A (Ta), 55A (Tc) 55W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Birgðir:
11990 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12946964
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
FDD8882 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Pakkning
Bulk
Röð
PowerTrench®
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
30 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
12.6A (Ta), 55A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
11.5mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1260 pF @ 15 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
55W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
TO-252 (DPAK)
Pakki / hulstur
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
588
Önnur nöfn
2156-FDD8882
FAIFSCFDD8882
Umhverfis- og útflutningsflokkun
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI vottun
Tengdar vörur
FDMS8023S
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
FDB029N06
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
AUIRF1010ZL
MOSFET N-CH 55V 75A TO262
