Framleiðandi Vöru númer:
DMS3016SFG-7
Product Overview
Framleiðandi:
Diodes Incorporated
Völu númer:
DMS3016SFG-7-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 30V 7A POWERDI3333-8
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 30 V 7A (Ta) 980mW (Ta) Surface Mount POWERDI3333-8
Birgðir:
12883518
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
DMS3016SFG-7 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Diodes Incorporated
Pakkning
-
Röð
-
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
30 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
7A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
13mOhm @ 11.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
44.6 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±12V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1886 pF @ 15 V
FET eiginleiki
Schottky Diode (Body)
Afl leiðni (hámark)
980mW (Ta)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PowerDI3333-8
Pakki / hulstur
8-PowerVDFN
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,000
Önnur nöfn
DMS3016SFG-7DITR
DMS3016SFG7
DMS3016SFG-7DICT
DMS3016SFG-7DIDKR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
RQ3E100MNTB1
FRAMLEIÐANDI
Rohm Semiconductor
Fjöldi í boði
5261
HLUTARNÁMR
RQ3E100MNTB1-DG
Einingaverð
0.40
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
RQ3E080BNTB
FRAMLEIÐANDI
Rohm Semiconductor
Fjöldi í boði
40431
HLUTARNÁMR
RQ3E080BNTB-DG
Einingaverð
0.10
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
DMN3731UFB4-7B
MOSFET N-CH 30V 1.2A 3DFN
DMT3008LFDF-13
MOSFET N-CH 30V 12A 6UDFN
DMN26D0UT-7
MOSFET N-CH 20V 230MA SOT523
