Framleiðandi Vöru númer:
SQJQ404E-T1_GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SQJQ404E-T1_GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 40 V 200A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
Birgðir:
13062967
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SQJQ404E-T1_GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Röð
TrenchFET®
Umbúðir
Tape & Reel (TR)
Staða hluta
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
40 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
200A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
1.72mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
270 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
16480 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
150W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Einkunn
Automotive
Hæfni
AEC-Q101
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PowerPAK® 8 x 8
Pakki / hulstur
PowerPAK® 8 x 8
Grunnvörunúmer
SQJQ404
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,000
Önnur nöfn
SQJQ404E-T1_GE3DKR
SQJQ404E-T1_GE3TR
SQJQ404E-T1_GE3CT
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SIHB28N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 28A D2PAK
SIHH21N60EF-T1-GE3
MOSFET N-CH 600V 19A PPAK 8 X 8
SIHB30N60AEL-GE3
MOSFET N-CH 600V 28A TO263
