SIHH21N60EF-T1-GE3
Framleiðandi Vöru númer:

SIHH21N60EF-T1-GE3

Product Overview

Framleiðandi:

Vishay Siliconix

Völu númer:

SIHH21N60EF-T1-GE3-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 600V 19A PPAK 8 X 8
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 600 V 19A (Tc) 174W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8

Birgðir:

2 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
13063075
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

SIHH21N60EF-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
-
Umbúðir
Tape & Reel (TR)
Staða hluta
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
600 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
19A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
185mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2035 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
174W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PowerPAK® 8 x 8
Pakki / hulstur
8-PowerTDFN
Grunnvörunúmer
SIHH21

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal
SIHH21N60EF-T1-GE3-DG
Gagnaplakks
SIHH21N60EF-T1-GE3
Gagnablöð
SIHH21N60EF

Aukainformation

Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SIHH21N60EF-T1-GE3CT
SIHH21N60EF-T1-GE3DKR
SIHH21N60EF-T1-GE3TR

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Tengdar vörur
vishay

SIHB30N60AEL-GE3

MOSFET N-CH 600V 28A TO263

vishay

SIHB24N65E-E3

MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK

vishay

SIHP20N50E-GE3

MOSFET N-CH 500V 19A TO220AB

vishay

SIHH120N60E-T1-GE3

MOSFET N-CH 600V 24A PPAK 8 X 8