SQJ488EP-T1_GE3
Framleiðandi Vöru númer:

SQJ488EP-T1_GE3

Product Overview

Framleiðandi:

Vishay Siliconix

Völu númer:

SQJ488EP-T1_GE3-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 100 V 42A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Birgðir:

3878 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
13006422
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

SQJ488EP-T1_GE3 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET®
Umbúðir
Tape & Reel (TR)
Staða hluta
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
100 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
42A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
21mOhm @ 7.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
979 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
83W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Einkunn
Automotive
Hæfni
AEC-Q101
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PowerPAK® SO-8
Pakki / hulstur
PowerPAK® SO-8
Grunnvörunúmer
SQJ488

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal
SQJ488EP-T1_GE3-DG
Gagnaplakks
SQJ488EP-T1_GE3
DIGI vottun
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Tengdar vörur
vishay

SIR124DP-T1-RE3

MOSFET N-CH 80V 16.1A/56.8A PPAK

vishay

SQP120N10-3M8_GE3

MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB

vishay

SIHG47N60AEL-GE3

MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC

vishay

SIHD7N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 7A DPAK