Framleiðandi Vöru númer:
SIS407DN-T1-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SIS407DN-T1-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET P-CH 20V 25A PPAK1212-8
Mikilvægar upplýsingar:
P-Channel 20 V 25A (Tc) 3.6W (Ta), 33W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Birgðir:
45251 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
13007433
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SIS407DN-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET®
Umbúðir
Tape & Reel (TR)
Staða hluta
Active
FET gerð
P-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
20 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
25A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
9.5mOhm @ 15.3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
93.8 nC @ 8 V
Vgs (hámark)
±8V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2760 pF @ 10 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
3.6W (Ta), 33W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PowerPAK® 1212-8
Pakki / hulstur
PowerPAK® 1212-8
Grunnvörunúmer
SIS407
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
DIGI vottun
Tengdar vörur
SIHH11N65E-T1-GE3
MOSFET N-CH 650V 12A PPAK 8 X 8
SQS411ENW-T1_GE3
MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8W
SIR184DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 60V 20.7A/73A PPAK
