SIR184DP-T1-RE3
Framleiðandi Vöru númer:

SIR184DP-T1-RE3

Product Overview

Framleiðandi:

Vishay Siliconix

Völu númer:

SIR184DP-T1-RE3-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 60V 20.7A/73A PPAK
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 60 V 20.7A (Ta), 73A (Tc) 5W (Ta), 62.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Birgðir:

22806 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
13007589
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

SIR184DP-T1-RE3 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET® Gen IV
Umbúðir
Tape & Reel (TR)
Staða hluta
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
60 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
20.7A (Ta), 73A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
7.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
5.8mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1490 pF @ 30 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
5W (Ta), 62.5W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PowerPAK® SO-8
Pakki / hulstur
PowerPAK® SO-8
Grunnvörunúmer
SIR184

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal
SIR184DP-T1-RE3-DG
Gagnaplakks
SIR184DP-T1-RE3
DIGI vottun
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Tengdar vörur
vishay

SIB408DK-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 7A PPAK SC75-6

vishay

SQM70060EL_GE3

MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK

vishay

SIHG73N60AE-GE3

MOSFET N-CH 600V 60A TO247AC

vishay

SUD42N03-3M9P-GE3

MOSFET N-CH 30V 42A TO252