Framleiðandi Vöru númer:
SIRA60DP-T1-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SIRA60DP-T1-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 30 V 100A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Birgðir:
9703 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
13008178
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SIRA60DP-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET® Gen IV
Umbúðir
Tape & Reel (TR)
Staða hluta
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
30 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
0.94mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
60 nC @ 4.5 V
Vgs (hámark)
+20V, -16V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
7650 pF @ 15 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
57W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PowerPAK® SO-8
Pakki / hulstur
PowerPAK® SO-8
Grunnvörunúmer
SIRA60
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
DIGI vottun
Tengdar vörur
SIHW47N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 47A TO247AD
SIHD3N50DT4-GE3
MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
SIR872ADP-T1-RE3
MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8
