SIR872ADP-T1-RE3
Framleiðandi Vöru númer:

SIR872ADP-T1-RE3

Product Overview

Framleiðandi:

Vishay Siliconix

Völu númer:

SIR872ADP-T1-RE3-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 150 V 53.7A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Birgðir:

2916 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
13008394
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

SIR872ADP-T1-RE3 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET®
Umbúðir
Tape & Reel (TR)
Staða hluta
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
150 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
53.7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
7.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
18mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
47 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1286 pF @ 75 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
104W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PowerPAK® SO-8
Pakki / hulstur
PowerPAK® SO-8
Grunnvörunúmer
SIR872

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal
SIR872ADP-T1-RE3-DG
Gagnaplakks
SIR872ADP-T1-RE3
DIGI vottun
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Tengdar vörur
vishay

SQ2337ES-T1_GE3

MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3

vishay

SQJ148EP-T1_GE3

MOSFET N-CH 40V 15A PPAK SO-8

vishay

SIHP050N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 51A TO220AB

vishay

SIHB22N60AE-GE3

MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK