Framleiðandi Vöru númer:
SIHP050N60E-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SIHP050N60E-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 600V 51A TO220AB
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 600 V 51A (Tc) 278W (Tc) Through Hole TO-220AB
Birgðir:
926 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
13008667
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SIHP050N60E-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tube
Röð
E
Umbúðir
Tube
Staða hluta
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
600 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
51A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
50mOhm @ 23A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
3459 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
278W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220AB
Pakki / hulstur
TO-220-3
Grunnvörunúmer
SIHP050
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Valkostamódeli
Partanúmer
SIHG050N60E-GE3
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
494
HLUTARNÁMR
SIHG050N60E-GE3-DG
Einingaverð
4.98
VÖRUVAL
Parametric Equivalent
DIGI vottun
Tengdar vörur
SIHB22N60AE-GE3
MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
SQD40N06-14L_GE3
MOSFET N-CH 60V 40A TO252AA
SIS456DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8
