Framleiðandi Vöru númer:
SIR492DP-T1-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SIR492DP-T1-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 12 V 40A (Tc) 4.2W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Birgðir:
13010132
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SIR492DP-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
-
Röð
TrenchFET®
Umbúðir
Tape & Reel (TR)
Staða hluta
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
12 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
40A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
3.8mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
110 nC @ 8 V
Vgs (hámark)
±8V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
3720 pF @ 6 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
4.2W (Ta), 36W (Tc)
Hitastig rekstrar
-50°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PowerPAK® SO-8
Pakki / hulstur
PowerPAK® SO-8
Grunnvörunúmer
SIR492
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SIR492DPT1GE3
SIR492DP-T1-GE3DKR
SIR492DP-T1-GE3TR
SIR492DP-T1-GE3CT
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
SI7858BDP-T1-GE3
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
5183
HLUTARNÁMR
SI7858BDP-T1-GE3-DG
Einingaverð
0.56
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
SUM40012EL-GE3
MOSFET N-CH 40V 150A TO263
SUD50P06-15L-T4-E3
MOSFET P-CH 60V 50A TO252
TN2404K-T1-GE3
MOSFET N-CH 240V 200MA SOT23-3
