Framleiðandi Vöru númer:
SI7858BDP-T1-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SI7858BDP-T1-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 12 V 40A (Tc) 5W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Birgðir:
5183 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12919834
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SI7858BDP-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
12 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
40A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
2.5mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
84 nC @ 4.5 V
Vgs (hámark)
±8V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
5760 pF @ 6 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
5W (Ta), 48W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PowerPAK® SO-8
Pakki / hulstur
PowerPAK® SO-8
Grunnvörunúmer
SI7858
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SI7858BDPT1GE3
SI7858BDP-T1-GE3DKR
SI7858BDP-T1-GE3TR
SI7858BDP-T1-GE3CT
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SI5401DC-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 5.2A 1206-8
SI4354DY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 9.5A 8SO
IRLI510ATU
MOSFET N-CH 100V 5.6A I2PAK
