Framleiðandi Vöru númer:
SIR186DP-T1-RE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SIR186DP-T1-RE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 60 V 23A (Ta), 60A (Tc) 5W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Birgðir:
6171 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
13006287
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SIR186DP-T1-RE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET® Gen IV
Umbúðir
Tape & Reel (TR)
Staða hluta
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
60 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
23A (Ta), 60A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
4.5mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.6V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
37 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1710 pF @ 30 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
5W (Ta), 57W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PowerPAK® SO-8
Pakki / hulstur
PowerPAK® SO-8
Grunnvörunúmer
SIR186
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
DIGI vottun
Tengdar vörur
SUM90P10-19L-E3
MOSFET P-CH 100V 90A TO263
SIHF35N60E-GE3
MOSFET N-CHANNEL 600V 32A TO220
SIHB6N80E-GE3
MOSFET N-CH 800V 5.4A D2PAK
