Framleiðandi Vöru númer:
SIHD14N60E-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SIHD14N60E-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 600V 13A DPAK
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 600 V 13A (Tc) 147W (Tc) Surface Mount DPAK
Birgðir:
1269 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
13005966
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SIHD14N60E-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tube
Röð
E
Umbúðir
Tube
Staða hluta
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
600 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
13A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
309mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
64 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1205 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
147W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
DPAK
Pakki / hulstur
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grunnvörunúmer
SIHD14
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
DIGI vottun
Tengdar vörur
SQJ464EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 32A PPAK SO-8
VS-FB180SA10P
MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227
SUM110P08-11L-E3
MOSFET P-CH 80V 110A TO263
