Framleiðandi Vöru númer:
SI7621DN-T1-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SI7621DN-T1-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET P-CH 20V 4A PPAK1212-8
Mikilvægar upplýsingar:
P-Channel 20 V 4A (Tc) 3.1W (Ta), 12.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Birgðir:
13062578
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SI7621DN-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
-
Röð
TrenchFET®
Umbúðir
Tape & Reel (TR)
Staða hluta
Obsolete
FET gerð
P-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
20 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
90mOhm @ 3.9A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
6.2 nC @ 5 V
Vgs (hámark)
±12V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
300 pF @ 10 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
3.1W (Ta), 12.5W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PowerPAK® 1212-8
Pakki / hulstur
PowerPAK® 1212-8
Grunnvörunúmer
SI7621
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SI7621DN-T1-GE3CT
SI7621DNT1GE3
SI7621DN-T1-GE3DKR
SI7621DN-T1-GE3TR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
SI7615ADN-T1-GE3
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
68070
HLUTARNÁMR
SI7615ADN-T1-GE3-DG
Einingaverð
0.22
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
SUP90N04-3M3P-GE3
MOSFET N-CH 40V 90A TO220AB
SIHF18N50D-E3
MOSFET N-CH 500V 18A TO220
SQJQ404E-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8
