Framleiðandi Vöru númer:
SI4532CDY-T1-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SI4532CDY-T1-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.3A 8SOIC
Mikilvægar upplýsingar:
Mosfet Array 30V 6A, 4.3A 2.78W Surface Mount 8-SOIC
Birgðir:
4029 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
13055046
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SI4532CDY-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET raðir
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Framleiðandi
Vishay Siliconix
Röð
TrenchFET®
Umbúðir
Tape & Reel (TR)
Staða hluta
Active
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Stelling
N and P-Channel
FET eiginleiki
-
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
30V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
6A, 4.3A
Rds á (Max) @ Id, Vgs
47mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
9nC @ 10V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
305pF @ 15V
Kraftur - hámark
2.78W
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Pakki / hulstur
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Birgir tæki pakki
8-SOIC
Grunnvörunúmer
SI4532
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,500
Önnur nöfn
SI4532CDY-T1-GE3DKR
SI4532CDY-T1-GE3CT
SI4532CDY-T1-GE3-ND
SI4532CDYT1GE3
SI4532CDY-T1-GE3TR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SI4936BDY-T1-E3
MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8SOIC
SI4953ADY-T1-E3
MOSFET 2P-CH 30V 3.7A 8SOIC
SI3585DV-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 20V 2A/1.5A 6TSOP
