Framleiðandi Vöru númer:
SI3585DV-T1-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SI3585DV-T1-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N/P-CH 20V 2A/1.5A 6TSOP
Mikilvægar upplýsingar:
Mosfet Array 20V 2A, 1.5A 830mW Surface Mount 6-TSOP
Birgðir:
13056194
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SI3585DV-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET raðir
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
-
Framleiðandi
Vishay Siliconix
Röð
TrenchFET®
Umbúðir
Tape & Reel (TR)
Staða hluta
Obsolete
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Stelling
N and P-Channel
FET eiginleiki
Logic Level Gate
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
20V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
2A, 1.5A
Rds á (Max) @ Id, Vgs
125mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
600mV @ 250µA (Min)
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
3.2nC @ 4.5V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
-
Kraftur - hámark
830mW
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Pakki / hulstur
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Birgir tæki pakki
6-TSOP
Grunnvörunúmer
SI3585
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SI3585DV-T1-GE3CT
SI3585DVT1GE3
SI3585DV-T1-GE3DKR
SI3585DV-T1-GE3TR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
FDC6327C
FRAMLEIÐANDI
onsemi
Fjöldi í boði
6259
HLUTARNÁMR
FDC6327C-DG
Einingaverð
0.15
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
SI3585CDV-T1-GE3
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
13694
HLUTARNÁMR
SI3585CDV-T1-GE3-DG
Einingaverð
0.14
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
BSL215CH6327XTSA1
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
23807
HLUTARNÁMR
BSL215CH6327XTSA1-DG
Einingaverð
0.17
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
SI1967DH-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-6
SI5947DU-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
SI5902BDC-T1-E3
MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8
