Framleiðandi Vöru númer:
SI3483DDV-T1-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SI3483DDV-T1-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET P-CH 30V 6.4A/8A 6TSOP
Mikilvægar upplýsingar:
P-Channel 30 V 6.4A (Ta), 8A (Tc) 2W (Ta), 3W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Birgðir:
4834 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
13059487
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SI3483DDV-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET® Gen IV
Umbúðir
Tape & Reel (TR)
Staða hluta
Active
FET gerð
P-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
30 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
6.4A (Ta), 8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
31.2mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
14.5 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
+16V, -20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
580 pF @ 15 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
2W (Ta), 3W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
6-TSOP
Pakki / hulstur
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Grunnvörunúmer
SI3483
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SI3483DDV-T1-GE3DKR
SI3483DDV-T1-GE3TR
SI3483DDV-T1-GE3CT
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SIDR390DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 69.9A/100A PPAK
SI2392ADS-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT23-3
SI3433CDV-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP